![]() 照射控制
专利摘要:
一種光學系統可包含:一物鏡;一照射源;一照射系統,其具有經組態以將照射引導至該物鏡上之照射光學器件;及至少兩個動態光學陣列裝置,其分別位於該等照射光學器件中之一光瞳共軛平面及一場共軛平面處。該等動態光學陣列裝置經組態以控制自該照射系統耦合至該物鏡之照射之一或多個性質。 公开号:TW201303258A 申请号:TW101120937 申请日:2012-06-11 公开日:2013-01-16 发明作者:Amnon Manassen;Joel Seligson;Noam Sapiens 申请人:Kla Tencor Corp; IPC主号:G01J1-00
专利说明:
照射控制 本發明之實施例一般而言係關於光學疊對度量衡且更特定而言係關於一疊對系統中之照射光學器件之控制。 微影術係推動更高階之微電路整合之一關鍵因素。動態隨機存取記憶體(RAM)由於最小幾何形狀之減小及晶片大小之增加而在整合程度上每三年翻兩倍。隨著最小幾何形狀變得越來越小,光學微影術之替代方案(諸如電子束直接寫入、X射線及電子/離子束接近技術)變得具有吸引力。後三項技術相對於光學微影術而言仍然在初期階段且仍然具有欲克服之障礙,分別包含減少之產出量、低源亮度及遮罩複雜性。 儘管光學微影術因其較為完善且能夠實施至少低至0.35微米之次微米解晰度而繼續作為主導性技術,但達到更小幾何形狀之努力傾向更新技術。在光學微影術及其替代方案兩者中,進展至較短波長之界域中引入對包含光學表面上之污染物之微小表面缺陷、由透鏡及鏡引入之像差、光阻劑厚度及表面變化以及晶圓平坦度及平面性之增加之敏感度。 由於製造限制,大多數光學元件具有平面、球面或抛物面形式。限定於簡單形式之表面由於光學像差而對一光學系統實現受繞射限制之效能之能力施加限制。 在光學機器視覺裝置中,通常對介於所觀測目標與偵測器之間的光學器件之品質給予巨大關注。在半導體度量衡中尤其如此,此乃因期望光學器件對所量測信號具有盡可能小的誤差貢獻。在光學器件最佳化程序中,通常採用標準光學器件分析方法,其中自一目標上之點朝向一偵測器發射一理想之模擬射線錐,同時改良中間光學器件以達成在偵測器處之最好會聚射線錐。在偵測器處之最好可能錐將產生一受繞射限制之「艾瑞盤(Airy disk)」,其係由在中心具有一明亮區域之一均勻照射之圓形孔隙產生之一繞射圖案。 點散佈函數(PSF)描述一成像系統對一點源或點物件之回應。影像中之點物件之散佈(模糊)程度係一成像系統之品質之一度量。可藉助一點散佈函數(PSF)描述降低品質之錐,亦即,會聚錐品質受光學器件像差限制。假定照射光學器件係完美的且由於照射反射而自目標朝向偵測器發出之射線束亦係完美的,亦即,在其起點處未遭受像差或繞射之影響。儘管在諸多情形中此係一極佳假定,但當深度量測次波長特徵時其不符合。用於改良照射之傳統方法包含照射光學器件最佳化以及靜態及動態散射器之使用。然而,經改良照射光學器件並不能始終補償不完美光源且散射器之使用依賴其隨機性質,因此,支援對照射品質之有限控制。本文提議一種動態方法,其包含2個結構化元件,一個係在場共軛中且一個係在光瞳共軛中,此達成對照射空間及角度特性之控制。 在半導體製造中所使用之一重要度量衡技術係量測一晶圓上之連續經圖案化層之間的疊對誤差。疊對度量衡係在積體電路及裝置之製造中所使用之最關鍵程序控制技術中之一者。疊對準確度一般而言與判定一第一經圖案化層相對於安置於其上面或其下面之一第二經圖案化層對準之準確程度及判定一第一圖案相對於安置於同一層上之一第二圖案對準之準確程度有關。目前,經由與晶圓之層一起印刷之測試圖案來執行疊對量測。經由一成像工具擷取此等測試圖案之影像且使用一分析演算法自所擷取影像計算該等圖案之相對位移。 本發明之實施例產係在此背景內產生。 本發明係關於一種光學系統,其包括:一物鏡;一照射源;一照射系統,其具有經組態以將該照射引導至該物鏡上之照射光學器件;及至少兩個動態光學陣列裝置,其分別位於該照射系統中之一光瞳共軛平面及一場共軛平面處,其中該等動態光學陣列裝置經組態以控制自該照射系統耦合至該物鏡之該照射之一或多個性質。 另外,本發明係關於一種用於一光學系統中之照射控制之方法,該照射系統具有一物鏡、一照射源及經組態以將照射引導至該物鏡上之照射光學器件,該方法包括:使用位於一光瞳共軛平面處之一第一動態光學陣列裝置在該光瞳共軛平面處調整來自該源之照射之一第一性質,其中該光瞳共軛平面與該物鏡之一光瞳共軛;及使用位於一場共軛平面處之一第二動態光學陣列裝置在該場共軛平面處調整來自該源之照射之一第二性質,其中該場共軛平面與一目標處之該物鏡之一聚焦場共軛。 此外,本發明可開發為一種其中體現有電腦可執行指令之非暫時性電腦可讀媒體,其中該等指令經組態以在執行之後旋即實施用於一光學系統中之照射控制之一方法,該光學系統具有一物鏡、一照射源及經組態以將照射引導至該物鏡上之照射光學器件,該方法包括:使用位於一光瞳共軛平面處之一第一動態光學陣列裝置在該光瞳共軛平面處調整來自該源之照射之一第一性質,其中該光瞳共軛平面與該物鏡之一光瞳共軛;及使用位於一場共軛平面處之一第二動態光學陣列裝置在該場共軛平面處調整來自該源之照射之一第二性質,其中該場共軛平面與一目標處之該物鏡之一聚焦場共軛。 在閱讀以下詳細闡述且在參考附圖之後將明瞭本發明之目標及優點。 儘管出於圖解說明之目的以下詳細闡述含有諸多特定細節,但任何熟習此項技術者將瞭解,以下細節之諸多變化及變更係在本發明之範疇內。因此,在不失所請求發明之一般性且對所請求發明不施加限制之情況下,陳述下文所闡述之本發明之實施例之實例。 傳統照射方法之目標係將最好可能照射點(就空間及角度分佈而言)遞送至目標以使得照射系統對總體誤差之貢獻將係有限的。然而,照射源及光學器件可引入在自目標反射時導致總體品質低於收集光學器件品質之像差。且相反地,未嘗試藉助照射控制來補償收集光學器件瑕疵。完美照射之假定可能受到挑戰且可分析及最佳化照射系統以達成改良之效能。 在其中使用結構化主動元件(諸如DLP)進行天文像差校正之天文裝置中,通常可將光源視為一點源,因此不存在場分佈問題。此外,DLP晶片係位於收集光學器件中,而非照射光學器件中。 投影器在場共軛中而非在光瞳共軛中使用此等裝置,在場共軛中此等裝置用作經投射至螢幕之物件。 由於大多數光學度量衡裝置係反射或透射裝置,因此可將目標視為一鏡或一窗,此實際上意指在傳統分析中自目標發出之錐實際上係照射系統之合成錐。遵循此推理,照射系統之繞射及像差亦在收集通道(如上文所闡述,其通常經獨立最佳化)中結束。一較佳解決方案係改良照射以使得其將一受繞射限制及無像差點遞送至所量測目標。然而,當一典型照射源遠離一理想點源時,可添加校準旋鈕(動態或靜態)以控制照射光學元件以最佳化所遞送照射點。考量如上文所闡述之順序光傳播,此等旋鈕實際上可經校準以將有意像差引入至照射中,該等有意像差與收集通道像差在量值上相等且在正負號上相反,且因此藉由使系統效能實際上無像差而有助於系統效能。此一概念可使得能夠與品質及成本降低之光學器件一起工作或支援一單個光學器件針對不同應用(每一者具有其獨特光學要求)之有效最佳化。若此一像差旋鈕係可用的,則亦可嘗試像有效聚焦那樣的技巧。 上文所闡述之概念可經擴展以補償除像差外之光學器件缺陷(諸如玻璃不均勻性、橫紋、氣泡、刮痕-坑洞、粗糙度等等)。 可藉由控制照射達成其他優點。舉例而言,物鏡之光瞳內之照射點之直徑(在科勒(Kohler)照射之情形中)對疊對具有一影響。在配方移植(recipe porting)期間藉助旋鈕控制物鏡光瞳處之照射之直徑可用於工具匹配。此外,亦可控制一目標或點上之照射之強度。 此外,某些目標具有不同層或區域。目標之某些層(或區域)可良好地反射且其他層(或區域)不良地反射。在此情形中,可控制至不同場位置之照射以使得高度反射部分接收較少光且不良反射部分接收較多光。另外,將期望控制光瞳中之光分佈以最佳化在每一場點處命中目標之光之角度分佈。當量測小目標時此選擇性場照射可係有用的,亦即,僅照射含有資訊之目標之部分而不照射其附近可減少光學串擾挑戰。此處,亦可最佳化朝向經照射區之邊緣之照射角度分佈。 根據本發明之一較佳實施例,一照射像差裝置可使用諸如當前在投影器中可用之微鏡陣列來控制目標照射之強度分佈。以實例而非限制之方式,可控制此等元件之一陣列內之個別光學元件之反射狀態以使得在(例如)80%之時間內一既定元件處於引導光遠離目標之一回射狀態中且在20%之時間內其處於朝向目標引導光之一傾斜狀態中。可以一極高速率控制一微鏡裝置之反射狀態。每一此裝置可具有數千個個別可控制之微鏡且若位於系統之一光瞳共軛及一場共軛兩者中,則其相互操作可提供表示所需之任何像差之射線之任何分佈。 在此一微鏡陣列中,可期望實體鏡像素比光學像素小大約4/5。在此一情形中,收集由微鏡陣列操縱之光之光學器件可具有係一鏡像素之大小之大約五倍之一點散佈函數。 圖1係圖解說明根據本發明之一實施例之一光學設備100之一示意圖。如圖1中所展示,照射源102產生耦合至照射光學器件101之一照射光束。來自源102之照射可係來自電磁光譜之任一部分或若干部分之電磁輻射,包含但不限於紅外光輻射、可見光輻射及紫外光輻射。以實例之方式,照射源102可包含一單色光源,諸如一雷射或一寬頻源(諸如弧光燈或超連續源)。 照射源102可係一點源或或接近一點光源。以實例之方式,可將一光纖之末端視為接近一點源。來自一主源(諸如一燈或雷射)之光可(例如)藉由適合之光學組件耦合至一光纖之一端中,且自另一端發出之光可耦合至照射光學器件。 源102可係可調諧的,或可含有可調整或可選擇濾波器,以使得入射光中可包含或不包含一波長或選定波長範圍。源102亦可包含偏光控制元件以使得可能每波長可選擇一偏光狀態。來自源102之入射光由一透鏡總成103準直且照射物鏡110之物鏡光瞳112,物鏡110將入射輻射引導於樣本118上之一特徵或若干特徵處。此光首先通過包含透鏡104、106及107之一透鏡總成103,之後通過一分束器108且抵達物鏡110之物鏡光瞳112。透鏡總成103起作用以朝向物鏡110之物鏡光瞳112引導光。 照射光學器件101可包含具有將來自源102之發散光轉換成一平行束之準直透鏡104之一透鏡總成103。一第二透鏡106使光聚焦。一第一動態光學陣列裝置302位於透鏡104與透鏡106之間。由第二透鏡106聚焦之光可由一第三透鏡107準直且耦合至物鏡110。一第二動態光學陣列裝置304可位於第二透鏡106與第三透鏡107之間或接近其共同焦點。 到達樣本118上之特徵之入射輻射係散射為經有序散射輻射及經擴散散射輻射兩者。此經散射輻射往回通過物鏡110之物鏡光瞳112之後到達分束器108。分束器108使某些返回光朝向一收集路徑轉向。此經轉向光通過收集光學器件114,收集光學器件114可包含使光朝向一2D陣列偵測器116聚焦之一中繼透鏡,例如,一電荷耦合裝置(CCD)或一位置敏感偵測器(PSD)將返回光之光學信號轉換成欲由一控制器進一步處理之一電信號。 在某些情形中,光瞳影像中存在具有相對高強度之不需要之繞射級。此可導致偵測器116中之動態範圍問題且將可能促成偵測器中之雜訊。通常以軟體自由偵測器116擷取之影像濾除不需要之繞射級。然而,影像之軟體濾波並不解決前述雜訊問題。為克服此等雜訊問題,可在收集路徑光瞳平面中包含一第三動態光學陣列裝置318(例如,一可程式化空間光調變器)。第三動態光學陣列裝置318可耦合至控制器310且透過適當程式化經組態以在收集路徑中在不需要之繞射級到達偵測器116之前濾除該等不需要之繞射級。 圖2係圖解說明圖1之光學設備之照射光學器件101之一示意圖。如此圖中所展示,就空間及角度分佈而言,預定義最佳光瞳共軛平面202及場共軛平面204,其中光瞳共軛平面202定位於透鏡104與透鏡106之間且場共軛平面204定位於透鏡106與透鏡107之間。該光瞳共軛平面與物鏡110之一對應光瞳112共軛。場共軛平面204與物鏡110之一聚焦場共軛。較佳地,當物鏡經適當聚焦時,該聚焦場位於樣本118處。 圖3中圖解說明照射像差控制之一實施方案。動態陣列裝置302、304可係定位於系統之照射路徑中之光瞳共軛平面202及場共軛平面204中之微鏡陣列。每一微鏡陣列可包含由可調整微鏡構成之一維或二維陣列。可(例如)回應於來自一電子控制器310之信號而控制每一微鏡之角度。 控制器310可經組態以實施用於光學系統100中之照射控制之一方法。該方法可包含使用第一動態光學陣列裝置302在光瞳共軛平面202處調整來自源102之照射之一第一性質且使用第二動態光學陣列裝置304在場共軛平面204處調整來自源102之照射之一第二性質。以實例之方式,控制器310可係具有一電腦處理器312及記憶體314之一通用電腦,且可在處理器312上執行指令316來實施陣列裝置302、304之控制。指令316可儲存於記憶體中或任何適合之非暫時性電腦可讀媒體(諸如一唯讀記憶體(ROM)、CD-ROM、快閃記憶體、軟磁碟機及諸如此類)中。另一選擇係,可以硬體(例如,藉由一特殊應用積體電路)實施控制器310。控制器310可包含輸入/輸出(I/O)電路以將適合之控制信號提供至陣列裝置302、304。控制器310亦可接收來自偵測器116或系統中之任何其他偵測器之回饋。此回饋可用於(例如)判定照射光學器件101及/或收集光學器件114中之像差及用於調整陣列裝置302、304以對抗此等像差。 陣列中之微鏡之位置之不同組合可提供用於系統100之不同照射組態。該等鏡組態亦可跨越光瞳共軛平面202或場共軛平面204提供照射之衰減之一每像素分佈。此等組態可支援定義每場點之任何角度照射分佈以用於控制照射像差。來自照射光學器件101之入射光照射物鏡110之物鏡光瞳112,物鏡110將入射輻射引導於樣本118上之一特徵或若干特徵處。此光首先通過透鏡104且朝向位於光瞳共軛平面處之微鏡裝置302引導。然後使來自微鏡裝置302之經反射光通過透鏡106且將其朝向定位於場共軛平面處之微鏡裝置304引導。來自微鏡裝置304之經反射光抵達物鏡110之物鏡光瞳112。 動態光學陣列裝置302、304一般可包含可控制光瞳共軛點202及場共軛點204處之照射之性質之可個別控制之光學元件之陣列。藉由適合地控制此等共軛點處之照射性質,動態光學陣列可最佳化物鏡光瞳112處及樣本118處之聚焦場處之照射。動態光學陣列裝置302、304可包含在自適應光學器件中通常使用之一類型之微機電系統(MEMS)光學元件之陣列。以實例而非限制之方式,動態光學陣列裝置302、304可包含可在一每像素基礎上調整光瞳共軛平面202或場共軛平面204處之照射之某一光學性質之其他類型之動態光學裝置之陣列。可將陣列中之每一動態裝置視為一像素。以實例之方式,微鏡陣列裝置之替代方案包含但不限於:可電子調整之偏光裝置之陣列(例如,一液晶陣列),其可在一每像素基礎上選擇性地透射或反射一特定偏光之照射;偏光旋轉裝置之陣列(例如,法拉第旋轉器之一陣列),其可在一每像素基礎上將照射之偏光旋轉至一所要方向;及光譜濾波裝置之陣列,其可在一每像素基礎上選擇性地反射或透射照射之電磁頻率之特定範圍。動態光學陣列裝置302、304亦可包含具有兩個或兩個以上此等裝置之組合之陣列(例如,與偏光鏡耦合之波長選擇性偏光旋轉裝置之一陣列)。 位於光瞳共軛平面處之陣列裝置302中之每一光學元件(例如,微鏡)之狀態可經調整以在光瞳中產生所需照射分佈。位於場共軛平面204處之陣列裝置304可類似地調整每一場點之照射以校正光密度。此組態達成對每一場點之光瞳分佈校正及對每一光瞳點之場分佈校正。以實例而非限制之方式,陣列裝置302及304可係用於由Texas Instruments發明之數位光處理(DLP)技術之類型之「數位微鏡裝置(DMD)」,該數位微鏡裝置使用一數位晶片來投射及顯示影像。DLP晶片包含一標準記憶體單元,在該標準記憶體單元之頂部上安裝有多達一百萬經鉸接顯微鏡之一矩形陣列。DMD校正鏡處之光密度且控制跨越光瞳或場之光強度分佈。 可在一適合之時標上調整陣列裝置302、304中之個別動態光學裝置之設定。舉例而言,偵測器116可在本文中稱為一時框之一時間段內收集經散射照射。以實例而非限制之方式,可藉由判定彼等陣列裝置302、304中之每一動態光學裝置在每一偵測器時框期間花費在某一狀態中之時間之百分比來達成一動態空間/角度分佈範圍。特定而言,在DMD陣列之情形中,控制器310可個別地控制每一DMD陣列中之每一微鏡花費在一反射狀態或一非反射狀態中之時間量。 在某些實施例中,系統100可包含在源內或光學耦合於源102與動態光學陣列裝置302、304中之任一者之間或耦合於該等動態光學陣列裝置與物鏡110之間的額外動態光學裝置306、308。額外動態光學裝置306、308可係具有可回應於來自控制器310之信號而控制之一狀態之陣列型裝置或非陣列裝置。動態光學裝置306、308可包含可調整光學濾波器、光學衰減器或可調整偏光控制裝置。控制器310可使動態光學裝置306、308之狀態與動態光學陣列裝置302、304中之每一動態光學裝置之狀態時間同步。舉例而言,假設第一動態光學陣列裝置302係一DMD陣列且一第一動態光學裝置306係一(非陣列)光學濾波器且一第二動態光學裝置308係一(非陣列)偏光控制裝置。控制器可使光學濾波器與偏光控制裝置之狀態時間同步以在某些時間間隔期間與陣列302中之特定DMD裝置之特定反射狀態一致。以此方式,可將具有一特定偏光狀態及波長範圍之照射選擇性地遞送至物鏡光瞳112處之特定點且以對應角度遞送。若陣列裝置302、304及光學裝置306、308之回應與一偵測器時框相比足夠快,則可藉由在一偵測器時框之過程內將陣列302、304中之動態光學器件裝置之不同子集同步至額外光學裝置306、308之不同狀態而實現多個強度、波長及偏光/空間-角度照射分佈。 以實例而非限制之方式,構成光瞳共軛平面202處之陣列裝置302之裝置之適當設定可控制物鏡光瞳112處之照射之直徑。特定而言,可設定在所要直徑外部之陣列中之裝置以阻止照射到達物鏡光瞳,且可設定在所要直徑內部之裝置從而以使得照射到達物鏡光瞳之一方式透射(或反射)該照射。可將用以獲得所要直徑之照射之陣列裝置302之設定移植至具有與系統100相同或類似之組態之一不同光學系統作為用於兩個系統之工具匹配之一工具配方之部分。 另外,為控制在每一場點處命中目標118之光之角度分佈,可設定構成光瞳共軛平面202處之陣列裝置302之個別裝置及構成場共軛平面204處之陣列裝置304之個別裝置以使得一預定義角度分佈到達每一場點。可將用以獲得每場點之所要角度照射分佈之陣列裝置302及304之設定移植至具有與系統100相同或類似之組態之一不同光學系統作為用於兩個系統之工具匹配之一工具配方之部分。 動態光學陣列裝置302、304之添加可用於最佳準備照射點以具有預定義角度及空間分佈,其中目的係消除收集系統像差。此等裝置之動態性質亦包含控制光瞳照射分佈(諸如對比增強等等)、照射輔助聚焦及系統量測最佳化。可藉由每照射光瞳點地最佳化目標118上之照射場分佈及/或藉由減少總體光學像差及/或類似方法來判定照射初始條件。可在訓練及最佳化階段中校準光學系統之效能誤差。亦可藉由預測最佳照射條件之目標之詳細電磁模擬來判定裝置之最佳操作狀態。動態光學陣列裝置302、304可(例如)藉由選擇諸如數值孔徑(NA)、偶極、環形等等照射直徑而提供一最佳照射組態。除此等已知光瞳功能外,亦可針對每一此光瞳功能定義物鏡光瞳112中之特定角度分佈。特定而言,除形成判定哪一光瞳點將被照射及哪一光瞳點將不被照射之一預定義光瞳照射強度分佈功能(例如,環形管、偶極、迴環、高斯強度分佈...)外,亦可每像素(亦即,物鏡光瞳112處之每光瞳點)地控制物鏡光瞳112中之經照射部分之角度分佈。此額外能力開創在照射最佳化、對比增強及諸如此類方面之額外自由度。 另外,動態裝置302、304亦可對照射系統缺陷進行校正。舉例而言,來自一光纖之光係空間或角度不均勻的。微鏡裝置可經組態以對此等非均勻性進行校正。舉例而言,光瞳共軛平面202處之陣列裝置302可藉由調整陣列中之每一元件反射或透射之光量而調整進入物鏡光瞳112之照射強度之非均勻性。以一類似方式,場共軛平面204處之陣列裝置304可藉由調整陣列中之每一元件反射或透射之光量而調整進入物鏡光瞳112之角度照射分佈之非均勻性。 在本發明之某些實施例中,陣列裝置302、304可經組態以補償照射光學器件中之對稱像差。此補償用於(例如)工具匹配。如本文中所使用,術語「對稱像差」意指具有圍繞光學軸之一對稱分佈之光學像差,諸如光瞳中之相位失真。此等主要像差係通常引入與正確判定聚焦相關之誤差之聚焦及球面像差。此外,由於此等像差係光譜相依的且目標回應亦係如此,因此所得聚焦誤差亦可隨光譜變化。為了補償一相干係統中之此等像差,光瞳共軛202處之光學陣列裝置302可經組態以引入具有圍繞光瞳中心之對稱分佈之相位延遲。潛在地,可每波長範圍地引入此等相位延遲。若該等像差係場相依的,則可考慮其中藉由場共軛204處之陣列裝置304藉助由光瞳共軛陣列裝置302進行之一第一像差校正照射一個場點之一序列。可藉助由光瞳陣列裝置302進行之另一像差補償照射後面的場部分等等直至每場點藉助對應像差校正照射所有場為止。若該等陣列裝置足夠快於偵測器,則潛在地可在一單個偵測器時框內完成此程序。 在某些實施例中,場共軛204處之陣列裝置304可與一旋轉偏光鏡306同步操作以達成對照射輻射之偏光狀態之場編碼。在其中(例如)樣本118處之目標結構中存在誘使對比相依性之偏光元件之情形中,此架構可改良效能。 偏光鏡306可位於照射系統中之任何地方,較佳地在其中數值孔徑(NA)係低的以避免角度相依性之一地方。以實例而非限制之方式,偏光鏡306可位於陣列裝置302、304之間的照射光學器件之某一部分中在其中照射輻射經準直之照射光學器件之一部分中。可藉由在偏光鏡旋轉角度與陣列裝置之影像選擇之間進行同步來達成旋轉偏光鏡306與陣列裝置304之間的同步。 如在本發明之實施例中,在照射路徑中添加動態裝置之可用於光譜及偏光控制,此乃因可與在光源中或別處可用之波長及偏光選擇選項同步地操作微鏡裝置。此達成最佳效能所需之強度、波長及偏光之任何空間及角度結構。 如在本發明之實施例中,在照射路徑中添加動態裝置可用於具有照射及收集之任何成像工具且更一般而言用於其中照射或照射控制之品質係重要之任何光學裝置。 在一替代實施例中,位置敏感偵測器(PSD)可與DMD一起使用以最佳化照射(可藉助分束器收集該照射)。可在偵測路徑中使用一PSD來判定收集光學器件中之像差。另一選擇係,出於此目的,亦可在偵測路徑中使用一相位敏感偵測器(例如,一哈特曼-沙克(Hartmann-Shack)相位敏感偵測器)。可補償此等像差,例如,藉由調整動態光學陣列裝置302、304以使得目標118之照射之組態趨向於減少或消除如由PSD或相位敏感偵測器所量測之收集光學器件中之所量測誤差。 上文所闡述之照射設計可用於散射測量工具中。在此等情形中,經常期望知曉照射中之偏光分佈且需要補償偏光分佈中之問題。此可應用於橢圓偏光術。 隨著光學度量衡規範之日益嚴格,照射系統品質變為一效能瓶頸。另外,為了符合效能,存在光學器件之一日益增長之成本。此甚至更適用於要求同光學規範相矛盾之應用。經由照射控制動態地控制系統像差之能力可有助於效能且甚至有助於一總體成本減少。 在本發明之某些實施例中,可針對相位或振幅使用陣列裝置302、304實施每顏色之像差校正。舉例而言,誘使一縱向色像差等化跨越光譜之色散焦。 本發明之實施例之另一有用應用係疊對度量衡之領域。圖4係根據本發明之實施例可用以量測疊對之一疊對量測系統或度量衡工具120之一簡化圖。 不同於圖4中所繪示之系統,習用疊對度量衡系統(例如,成像或散射測量)通常係基於其中將含有來自至少兩個單獨微影曝露步驟之空間資訊之一專用度量衡目標成像至一個二維傳感器陣列上之明亮場照射顯微術。存在與現有架構相關聯之若干個缺點。舉例而言,度量衡精度通常受對比限制,該對比一般受最低對比目標特徵之影像投射中之峰穀差約束。此外,度量衡準確度及工具誘使偏移效能亦係受對比限制。另外,在諸多目標架構中,當自不同入射角度(亦即,自照射光瞳中之不同位置)照射時,可發生一邊緣或週期性特徵之一對比反轉。當自多個入射角度同時照射一目標時,一對比反轉之效應可係在將來自目標上之多個入射角度之光整合於影像平面中時減少或甚至完全消除一特定特徵之對比。 當前對比控制係基於固定孔隙及此等孔隙之橫向移動(例如,在pzt控制下)。然而,此等孔隙係二元的(接通/關斷)。因此,通常可用於對比之調整之僅有回饋機制係藉由調整孔隙之橫向位置(或可能藉由切換孔隙)。 在本發明之實施例中,在照射行之光瞳共軛平面中可使用一動態陣列裝置(例如,一可程式化空間光調變器)來代替一機械止動器。此允許照射系統在不必改變硬體之情況下在一單個動態組件中實施諸多不同遮罩。而且,使用空間光調變器達成動態變跡法而非僅僅靜態止動器或變跡法。一可程式化特徵之使用亦達成在不進行硬體改變之情況下對照射光瞳遮罩之進一步開發。 再次參考圖4,系統120可經配置以經由安置於一晶圓124上之一或多個疊對目標122判定疊對誤差。疊對目標122通常定位於晶圓124上之劃割線內,該等劃割線係用於將該晶圓鋸切及切割成複數個晶粒。系統120包含一光學總成126及一電腦128。光學總成126一般經配置以擷取疊對目標122之影像。電腦128一般經配置以根據所擷取影像計算疊對目標之元件之相對位移。 光學總成126一般包含照射光學器件127,照射光學器件127包含經配置以沿一第一路徑134發射光132之一光源130(例如,不相干或相干的,但不相干一般係較佳的)。使光132入射於一第一透鏡135上,第一透鏡135將光132聚焦至一光纖線136上,光132通過光纖線136。自光纖線136發出之光132然後通過一第二透鏡138以準直光132。來自照射光學器件之經準直光132然後繼續至一分束器140,分束器140將經準直光引導至一路徑142上且使經準直光入射於一物鏡透鏡144上,物鏡透鏡144將光132聚焦至晶圓124上。一第一動態光學陣列元件137可置於照射光學器件之一場共軛處且一第二動態光學陣列元件139可位於照射光學器件127之一光瞳共軛處。動態光學陣列元件可回應於信號(回應於由電腦128執行之指令而產生)而操作。 自晶圓124反射之光132之部分然後由物鏡透鏡144收集。離開物鏡144之光132沿著路徑142(往回)繼續直至其到達分束器140為止。分束器140引導光132至一路徑146上。在路徑146上繼續之光132然後由一管透鏡150收集,管透鏡150將光132聚焦至一相機152上,相機152記錄晶圓124之一部分之一影像,且更特定而言記錄目標122之一影像。以實例之方式,相機152可係一電荷耦合裝置(CCD)、一個二維CCD或線性CCD陣列。在大多數情形中,相機152將所記錄影像變換成電信號,該等電信號可由電腦128使用,且可被發送至電腦128。在接收到電信號之後,電腦128執行計算影像之疊對誤差之分析演算法。下文將更詳細地闡述分析演算法。 系統120進一步包含與計算機128及相機152一起工作以抓取晶圓124之影像之一圖框抓取器154。儘管圖框抓取器154係展示為一單獨組件,但應注意,圖框抓取器154可係電腦128之部分及/或相機152之部分。圖框抓取器154通常具有兩個功能-目標獲取及影像抓取。在目標獲取期間,圖框抓取器154及電腦128與一晶圓載台156協作以將目標置於焦點中且將目標定位於盡可能靠近於度量衡工具之視域(FOV)之中心處。在大多數情形中,圖框抓取器抓取複數個影像(例如,並非用以量測疊對之影像)且該載台在此等抓取之間使晶圓移動直至在X、Y及Z方向上正確地定位目標為止。如應理解,X及Y方向一般對應於視域(FOV)而Z方向一般對應於焦點。一旦圖框抓取器判定目標之正確位置,便實施此兩個功能中之第二者(例如,影像抓取)。在影像抓取期間,圖框抓取器154進行一最終抓取或若干抓取以便擷取及儲存正確定位之目標影像,亦即,用以判定疊對之影像。 在抓取影像之後,必須自所抓取影像提取資訊以判定對齊誤差。所提取資訊可係數位資訊或呈波形形式。然後可使用各種演算法來判定在一半導體晶圓之各種層之間的對齊誤差。舉例而言,可使用一基於頻域之方法、一基於空間域之方法、傅立葉變換演算法、零交叉偵測、相關性及交叉相關性演算法及其他方法。 一般可將用於使用含有週期性結構之遮罩判定疊對之演算法劃分成幾個群組。舉例而言,一個群組可係關於基於相位檢索之分析。基於相位檢索之分析(其經常稱為基於頻域之方法)通常涉及藉由沿週期性結構之線對像素求總和使工作區中之每一者摺疊而產生一維信號。在頒予Bareket之第6,023,338號美國專利、2000年6月22日提出申請之序號為09/603,120之美國專利申請案及2000年9月1日提出申請之序號為09/654,318之美國專利申請案中闡述可使用之相位檢索演算法之實例,所有該等文獻皆以引用之方式併入本文中。在2000年10月26日提出申請之序號為09/697,025之美國申請案中闡述可使用之又一相位檢索演算法,該申請案亦以引用之方式併入本文中。其中所揭示之相位檢索演算法將信號分解成基本信號頻率之一組諧波。不同諧波之振幅及相位之定量比較提供關於信號之對稱性及光譜內容之重要資訊。特定而言,在同一信號(藉助其振幅校準)之一次諧波與二次諧波或高次諧波之間的相位差量測信號不對稱性之程度。對此不對稱性之主要貢獻來自度量衡工具中之光學不對準及照射不對稱性(工具誘使偏移)以及程序誘使結構特徵(晶圓誘使偏移)。在同一程序層上比較自視域之不同部分獲取之信號之一次諧波與二次諧波之相位之間的此不對齊可提供關於度量衡工具之光學像差之獨立資訊。最後,比較來自一既定定向處之量測之此等不對齊與在使晶圓旋轉180度之後所獲得之彼等不對齊由於不對稱性而允許工具誘使偏移與晶圓誘使偏移之分離。 可使用之又一相位檢索演算法係小波分析。小波分析稍微類似於上文之章節中所闡述之分析,然而,現在使一動態窗跨越一維信號移動且以一較局部化方式執行相位估計。關於在一啁啾週期性結構之情形中之使用,此係尤其受關注的。另一群組可係關於基於強度相關性之方法。在此方法中,藉由自每一程序層計算一個信號與來自標記之相反部分之經反轉信號之交叉共變異數而單獨找出同一程序層之對稱中心。此技術類似於當今關於框目標中之框所使用之技術。 可透過使用本文中稱為相干性編碼之一技術來增強本發明之實施例。如一般所理解,術語「相干性」係指一波之物理量之間的相關性。兩個波之相干性自當由交叉相關性功能量化時該等波相關之程度得出。相干性編碼可用以(例如)控制不同光瞳點之間的相位關係。可(例如)藉由每偵測器時框實施數個光瞳功能寫入程式影像來達成此控制,每一影像對具有一大的空間相干性之一束(諸如來自一超連續照射器之一束)進行操作。術語「空間相干性」闡述當隨時間平求均時空間中之兩個點(x 1 及x 2 )在一波之範圍內干涉之能力。更精確而言,空間相干性傳統上係定義為在所有時間內一波中之兩個點之間的交叉相關性。交叉相關性縮減達一顯著量之時間稱為相干性時間。在相干性時間期間照射行進之距離稱為相干性長度。 當使用兩個光學陣列裝置(例如,一個在一光瞳共軛平面中且一個在一場共軛平面中)時,可每場點地實施空間光瞳相干性編碼。控制相干性對目標之外觀具有一影響,該外觀對於效能而言又係重要的。位於一照射系統中之一光瞳共軛處之一動態光學陣列裝置(例如,圖3中之陣列裝置302)之組態可每偵測器時框改變數次以產生不同光瞳點之間的不同相位關係。此技術之優點係可根據諸如對比改良之某一所要結果相干或不相干地對相干性群組求總和。 以實例之方式,圖1之陣列裝置302及控制器310可經組態以使得陣列裝置302僅同時透射選定光瞳點之照射。圖5展示在一偵測器時框之持續時間內允許光同時通過之光瞳平面之不同部分。術語「偵測器時框」係指偵測器116(例如,一電荷耦合裝置)搜集一組資料之一時間段。具有相同陰影圖案之裝置302之部分在本文中稱為一光瞳時框之一既定時間段內透射照射。此組態達成對光瞳照射之哪些部分將在影像中相干地相加且哪些部分將不相干地相加之控制。在圖5中所繪示之實例中,存在用於三個不同光瞳時框之三個不同圖案。特定而言,部分302A、302C、302E及302G在一第一光瞳時框期間同時透射照射;部分302B、302D、302F及302H在一第二光瞳時框期間同時透射照射;且部分302I在一第三光瞳時框期間透射照射。 照射之短相干性長度(或相干性時間)計及不同經照射光瞳點之間的相位關係。短相干性時間亦計及不存在與下一光瞳時框之經照射光瞳點之相位相關性。一般而言,一光瞳時框之持續時間比照射之相干性時間長且比偵測器時框短。 相干性編碼可增強對比且亦係相干偏光編碼及相干相位編碼之一先決條件。相干性編碼亦可用以實現窄頻寬照射中之抑制。在一項實施方案中,照射源可係一超連續源。如本文中所使用,一超連續源一般係指具有一短縱向相干性長度(例如,大約2.5μ)及一長空間相干性(例如,數毫米)之一照射源。然而,應注意,可藉助其他寬頻源實施相干性編碼。此一源之相干性時間可係為大約每斑點影像10-14秒及大約5×109相干性時間。若DLP時框持續時間係1毫秒且每0.05毫秒獲得散射器影像,則每DLP時框存在20個斑點實現。若偵測器係具有30毫秒之一時框持續時間之一CCD,則每CCD場時框存在30個DLP時框。在此一情形中,將存在相干DLP貢獻之不相干總和。 儘管上文係本發明之較佳實施例之一完整闡述,但可使用各種替代方案、修改及等效物。因此,本發明之範疇不應參考上文之闡述判定而是應參考隨附申請專利範圍以及其等效物之全部範疇來判定。任何特徵(無論是否為較佳的)皆可與任何其他特徵(無論是否為較佳的)組合。在下面之申請專利範圍中,不定冠詞「一(A或An)」係指跟在該冠詞之後之項目中之一或多者之一數量,除非以其他方式明確地陳述。隨附申請專利範圍不應解釋為包含構件加功能限制,除非在一既定請求項中使用短語「用於...之構件」明確敍述此一限制。 100‧‧‧光學設備/光學系統/系統 101‧‧‧照射光學器件 102‧‧‧照射源/源 103‧‧‧透鏡總成 104‧‧‧透鏡/準直透鏡 106‧‧‧透鏡/第二透鏡 107‧‧‧透鏡/第三透鏡 108‧‧‧分束器 110‧‧‧物鏡 112‧‧‧物鏡光瞳/對應光瞳 114‧‧‧收集光學器件 116‧‧‧2維陣列偵測器/偵測器 118‧‧‧樣本/目標 120‧‧‧疊對量測系統/度量衡工具/系統 122‧‧‧疊對目標/目標 124‧‧‧晶圓 126‧‧‧光學總成 127‧‧‧照射光學器件 128‧‧‧電腦 130‧‧‧光源 132‧‧‧光/經準直光 134‧‧‧第一路徑 135‧‧‧第一透鏡 136‧‧‧光纖線 137‧‧‧第一動態光學陣列元件 138‧‧‧第二透鏡 139‧‧‧第二動態光學陣列元件 140‧‧‧分束器 142‧‧‧路徑 144‧‧‧物鏡透鏡/物鏡 146‧‧‧路徑 150‧‧‧管透鏡 152‧‧‧相機 154‧‧‧圖框抓取器 156‧‧‧晶圓載台 202‧‧‧光瞳共軛平面/光瞳共軛點 204‧‧‧場共軛平面/場共軛點 302‧‧‧第一動態光學陣列裝置/動態陣列裝置/動態光學陣列裝置/陣列裝置/微鏡裝置 302A‧‧‧部分 302B‧‧‧部分 302C‧‧‧部分 302D‧‧‧部分 302E‧‧‧部分 302F‧‧‧部分 302G‧‧‧部分 302H‧‧‧部分 302I‧‧‧部分 304‧‧‧第二動態光學陣列裝置/動態陣列裝置/陣列裝置/動態光學陣列裝置/微鏡裝置 306‧‧‧額外動態光學裝置/動態光學裝置/第一動態光學裝置/光學裝置/額外光學裝置/旋轉偏光鏡/偏光鏡 308‧‧‧額外動態光學裝置/動態光學裝置/第二動態光學裝置/光學裝置/額外光學裝置 310‧‧‧控制器 312‧‧‧電腦處理器/處理器 314‧‧‧記憶體 316‧‧‧指令 318‧‧‧第三動態光學陣列裝置 圖1係圖解說明根據本發明之一實施例之一度量衡設備之一示意圖。 圖2係圖解說明圖1中所繪示之度量衡設備之照射光學器件之一示意圖。 圖3係圖解說明根據本發明之一較佳實施例之照射像差控制光學器件之一示意圖。 圖4係根據本發明之一實施例之一疊對量測系統之一簡化圖。 圖5係圖解說明根據本發明之一實施例之相干編碼之一實例之一光瞳平面之一示意圖。 100‧‧‧光學設備/光學系統/系統 101‧‧‧照射光學器件 102‧‧‧照射源/源 103‧‧‧透鏡總成 104‧‧‧透鏡/準直透鏡 106‧‧‧透鏡/第二透鏡 107‧‧‧透鏡/第三透鏡 108‧‧‧分束器 110‧‧‧物鏡 112‧‧‧物鏡光瞳/對應光瞳 114‧‧‧收集光學器件 116‧‧‧2維陣列偵測器/偵測器 118‧‧‧樣本/目標 302‧‧‧第一動態光學陣列裝置/動態陣列裝置/動態光學陣列裝置/陣列裝置/微鏡裝置 304‧‧‧第一動態光學陣列裝置/動態陣列裝置/動態光學陣列裝置/陣列裝置/微鏡裝置 306‧‧‧額外動態光學裝置/動態光學裝置/第一動態光學裝置/光學裝置/額外光學裝置/旋轉偏光鏡/偏光鏡 308‧‧‧額外動態光學裝置/動態光學裝置/第二動態光學裝置/光學裝置/額外光學裝置 310‧‧‧控制器 312‧‧‧電腦處理器/處理器 314‧‧‧記憶體 316‧‧‧指令 318‧‧‧第三動態光學陣列裝置
权利要求:
Claims (46) [1] 一種光學系統,其包括:一物鏡;一照射源;一照射系統,其具有經組態以將照射引導至該物鏡上之照射光學器件;及至少兩個動態光學陣列裝置,其分別位於該照射系統中之一光瞳共軛平面及一場共軛平面處,其中該等動態光學陣列裝置經組態以控制自該照射系統耦合至該物鏡之該照射之一或多個性質。 [2] 如請求項1之光學系統,其中該物鏡經組態以將該照射聚焦至一目標上且收集來自該目標之經照射散射輻射。 [3] 如請求項2之光學系統,其進一步包括具有光學耦合至該物鏡之收集光學器件之一收集系統,其中該等收集光學器件經組態以收集來自該目標之該經散射照射且將該經散射照射耦合至一偵測器,其中該等動態光學陣列裝置經組態以將補償光學器件像差引入至該照射系統中以移除該等收集光學器件之光學器件像差。 [4] 如請求項3之系統,其中位於該光瞳共軛平面處之該陣列裝置經組態以在大於該照射之一相干性時間且短於該偵測器之一偵測器時框之一時間內同時透射通過該光瞳共軛平面之不同對應部分之該照射之不同選定部分。 [5] 如請求項3之系統,其中該收集系統包含位於該等收集光學器件之一光瞳平面處之一額外動態光學陣列裝置。 [6] 如請求項5之系統,其中該額外動態光學陣列裝置經組態以在該等收集光學器件中濾除不需要之繞射級以免到達該偵測器。 [7] 如請求項3之光學系統,其進一步包括經組態以判定該等收集光學器件中之像差之一位置敏感偵測器(PSD)陣列或相位敏感偵測器陣列。 [8] 如請求項7之光學系統,其中該PSD陣列或相位敏感偵測器陣列位於一收集路徑中。 [9] 如請求項1之光學系統,其中該等動態光學陣列裝置包含一或多個微鏡裝置。 [10] 如請求項9之光學系統,其中位於該光瞳共軛平面處之該微鏡裝置經組態以在該光瞳中產生一所需照射分佈。 [11] 如請求項10之光學系統,其中位於該場共軛平面處之該微鏡裝置經組態以選擇場點以用於校正光密度。 [12] 如請求項11之光學系統,其中該微鏡裝置包括數位微鏡裝置(DMD)。 [13] 如請求項1之光學系統,其中該等動態光學陣列裝置包含經組態以調整跨越該光學系統之一光瞳或場的該照射之一偏光分佈之一或多個陣列裝置。 [14] 如請求項1之光學系統,其中該照射源包含經組態以選擇電磁輻射之一偏光狀態之偏光控制元件。 [15] 如請求項14之光學系統,其中該等偏光控制元件經組態以依據該照射之波長選擇該偏光狀態。 [16] 如請求項1之光學系統,其中該等動態光學陣列裝置經組態以補償該等照射光學器件中之缺陷。 [17] 如請求項16之光學系統,其中該等照射光學器件中之該等缺陷包含玻璃不均勻性、橫紋、氣泡或刮痕-坑洞、粗糙度。 [18] 如請求項1之光學系統,該光瞳共軛平面處之動態光學陣列裝置經組態以控制該物鏡光瞳之一光瞳處之該照射之一直徑。 [19] 如請求項18之光學系統,其中該光瞳共軛平面處之該動態陣列裝置經組態以選擇性地阻止照射到達該物鏡之該光瞳或以使得該照射到達該物鏡之該光瞳之一方式選擇性地透射或反射該照射。 [20] 如請求項1之光學系統,其中該場共軛平面處之該動態光學陣列裝置經組態以控制由該物鏡耦合至一目標之該照射之一角度分佈。 [21] 如請求項20之光學系統,其中該場共軛平面處之該動態光學陣列裝置經組態以用由該物鏡耦合至該目標之該輻射僅照射該目標之一選定部分。 [22] 如請求項1之系統,其中該等動態光學陣列裝置包含經組態以在一每像素基礎上調整該光瞳共軛平面或場共軛平面處之該照射之一光學性質之動態光學裝置之陣列。 [23] 如請求項22之系統,其中該光學性質係該物鏡之該光瞳處之照射之一每像素角度分佈。 [24] 如請求項1之系統,其進一步包括耦合至第一或第二動態光學陣列裝置之一控制器,其中控制器經組態以調整在一偵測器時框期間該第一或第二動態光學陣列裝置內之一動態光學裝置花費在某一狀態中之時間之一百分比。 [25] 如請求項24之系統,其進一步包括安置於該動態光學裝置與該照射源之間或該動態光學裝置與該物鏡之間的一額外動態光學裝置,其中該控制器經組態以使該動態光學裝置之該狀態與該額外動態光學裝置之一狀態同步。 [26] 如請求項25之系統,其中該額外動態光學裝置係一光譜或偏光控制元件。 [27] 如請求項22之系統,其中該等動態光學陣列裝置包含:可電子調整之偏光裝置之陣列,其經組態以在一每像素基礎上選擇性地透射或反射一特定偏光之照射;偏光旋轉裝置之陣列,其經組態以在一每像素基礎上將照射之偏光旋轉至一所要方向;或光譜濾波裝置之陣列,其經組態以在一每像素基礎上選擇性地反射或透射照射之電磁頻率之特定範圍。 [28] 如請求項1之系統,其中該光學系統係一散射測量疊對系統。 [29] 如請求項1之系統,其中位於該等光瞳共軛及場共軛處之該等光學陣列裝置經組態以補償該等照射光學器件中之對稱像差。 [30] 如請求項1之系統,其中該照射系統進一步包括一旋轉偏光鏡,該旋轉偏光鏡經組態以使該照射之一偏光角度同步至由位於該場共軛平面處之該陣列裝置選擇之一影像。 [31] 一種用於一光學系統中之照射控制之方法,該光學系統具有一物鏡、一照射源及經組態以將照射引導至該物鏡上之照射光學器件,該方法包括:使用位於一光瞳共軛平面處之一第一動態光學陣列裝置在該光瞳共軛平面處調整來自該源之照射之一第一性質,其中該光瞳共軛平面與該物鏡之一光瞳共軛;及使用位於一場共軛平面處之一第二動態光學陣列裝置在該場共軛平面處調整來自該源之照射之一第二性質,其中該場共軛平面與一目標處之該物鏡之一聚焦場共軛。 [32] 如請求項31之方法,其中該第一性質係該光瞳共軛平面處之照射之一直徑。 [33] 如請求項31之方法,其中該第二性質係該場共軛平面處之照射之一角度分佈。 [34] 如請求項31之方法,其中該第一或第二性質係在一每像素基礎上照射衰減之一每像素分佈。 [35] 如請求項31之方法,其中該第一或第二光學性質係該照射之一每像素光譜。 [36] 如請求項31之方法,其中該第一或第二性質係該照射之一偏光分佈。 [37] 如請求項31之方法,其中該第一或第二性質係該物鏡之該光瞳處之照射之一每像素角度分佈。 [38] 如請求項31之方法,其進一步包括:將該等動態光學陣列裝置中之一或多者之設定傳送至一不同光學系統以使該光學系統與該不同光學系統工具匹配。 [39] 如請求項31之方法,其中調整該第一或第二性質包含:調整在一偵測器時框期間第一或第二動態光學陣列裝置內之一動態光學裝置花費在某一狀態中之時間之一百分比。 [40] 如請求項31之方法,其中調整該第一或第二性質包含:使該第一或第二動態光學陣列內之每一動態光學裝置之該狀態與光學耦合至該第一或第二動態光學陣列裝置之一額外動態光學裝置之一狀態同步。 [41] 如請求項40之方法,其中該額外動態光學裝置係一光譜或偏光控制元件。 [42] 如請求項40之方法,其中使該第一或第二動態光學陣列內之每一動態光學裝置之該狀態同步包含:在一偵測器時框之過程內使該第一或第二動態光學陣列裝置中之該等動態光學裝置之不同子集同步至該額外光學裝置之不同狀態。 [43] 如請求項40之方法,其中使每一動態光學裝置之該狀態同步包含:使該照射之一偏光角度同步至由位於該場共軛平面處之該陣列裝置選擇之一影像。 [44] 如請求項31之方法,其中調整該第一性質包含:在一每像素基礎上控制該光瞳之經照射部分之一角度分佈。 [45] 如請求項31之方法,其中位於該等光瞳共軛及場共軛處之該等光學陣列裝置經組態以補償該等照射光學器件中之對稱像差。 [46] 一種其中體現有電腦可執行指令之非暫時性電腦可讀媒體,其中該等指令經組態以在執行之後旋即實施用於一光學系統中之照射控制之一方法,該光學系統具有一物鏡、一照射源及經組態以將照射引導至該物鏡上之照射光學器件,該方法包括:使用位於一光瞳共軛平面處之一第一動態光學陣列裝置在該光瞳共軛平面處調整來自該源之照射之一第一性質,其中該光瞳共軛平面與該物鏡之一光瞳共軛;及使用位於一場共軛平面處之一第二動態光學陣列裝置在該場共軛平面處調整來自該源之照射之一第二性質,其中該場共軛平面與一目標處之該物鏡之一聚焦場共軛。
类似技术:
公开号 | 公开日 | 专利标题 TWI564539B|2017-01-01|光學系統、用於其中之照射控制之方法及非暫時性電腦可讀媒體 TWI657240B|2019-04-21|用於檢測裝置之照明源、檢測裝置及檢測方法 TWI585546B|2017-06-01|照明系統、包括此一照明系統之檢測裝置、檢測方法及製造方法 JP2017207506A|2017-11-24|計測システムおよび計測方法 JP5444334B2|2014-03-19|干渉欠陥検知及び分類 TWI703415B|2020-09-01|度量系統及方法 IL282673D0|2021-06-30|Spectroscopic beam profile metrology KR100588117B1|2006-06-09|리소그래피장치 및 디바이스제조방법 KR102079416B1|2020-02-19|동공 결상 산란율 측정을 위한 아포다이제이션 JP2005519460A|2005-06-30|重ね合わせ測定方法およびシステム KR102347059B1|2022-01-03|다수의 파라미터 구성들을 사용한 오버레이 계측 TW200938959A|2009-09-16|Optical lighting device and exposure device US7692128B2|2010-04-06|Focus control method for an optical apparatus which inspects a photo-mask or the like US6963408B2|2005-11-08|Method and apparatus for point diffraction interferometry TW201606284A|2016-02-16|用於在一基板上產生多個空間上分隔之檢驗區域之方法,裝置及系統 US10585363B2|2020-03-10|Alignment system JP2016530576A|2016-09-29|低ノイズ高安定性の深紫外線連続波レーザー KR20160093021A|2016-08-05|비접촉 광학 방법을 이용한 포토리소그래피 마스크를 위치시키기 위한 방법 및 장치 JP2011107139A|2011-06-02|物体表面の形状測定装置、その形状測定方法及び部品キット JP2021076853A|2021-05-20|光学系及び光学系を用いてマスク欠陥を補正する方法 KR20200053908A|2020-05-19|광학 시편 표면 검사 장치 및 그 제어 방법 JP3351051B2|2002-11-25|水平検出装置及びそれを用いた露光装置 JP6952136B2|2021-10-20|リソグラフィの方法及び装置 KR101863752B1|2018-06-04|광학적 웨이퍼 검사 장치의 해상력 강화 방법 및 이를 이용한 tsom 영상 획득 방법 KR101826127B1|2018-02-06|광학적 웨이퍼 검사 장치
同族专利:
公开号 | 公开日 TWI564539B|2017-01-01| KR101982363B1|2019-05-27| KR20140053141A|2014-05-07| EP2724361A2|2014-04-30| JP6132838B2|2017-05-24| US8681413B2|2014-03-25| US20120327503A1|2012-12-27| EP2724361A4|2015-03-18| JP2014521116A|2014-08-25| WO2013002988A2|2013-01-03| WO2013002988A3|2013-07-11|
引用文献:
公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题 TWI557406B|2014-04-04|2016-11-11|Nuflare Technology Inc|An imaging device, a defect inspection device, and a defect inspection method| US10401299B2|2014-04-04|2019-09-03|Nuflare Technology, Inc.|Image capturing apparatus and inspection apparatus and inspection method| TWI748061B|2017-03-01|2021-12-01|美商克萊譚克公司|基於散射術之度量系統及方法|US6023338A|1996-07-12|2000-02-08|Bareket; Noah|Overlay alignment measurement of wafers| DE19835072A1|1998-08-04|2000-02-10|Zeiss Carl Jena Gmbh|Anordnung zur Beleuchtung und/oder Detektion in einem Mikroskop| US6462818B1|2000-06-22|2002-10-08|Kla-Tencor Corporation|Overlay alignment mark design| US6486954B1|2000-09-01|2002-11-26|Kla-Tencor Technologies Corporation|Overlay alignment measurement mark| US7009704B1|2000-10-26|2006-03-07|Kla-Tencor Technologies Corporation|Overlay error detection| US7155018B1|2002-04-16|2006-12-26|Microsoft Corporation|System and method facilitating acoustic echo cancellation convergence detection| KR101087930B1|2002-08-24|2011-11-28|매스크리스 리소그래피 인코퍼레이티드|연속적인 직접-기록 광 리소그래피 장치 및 방법| US6844927B2|2002-11-27|2005-01-18|Kla-Tencor Technologies Corporation|Apparatus and methods for removing optical abberations during an optical inspection| US6870554B2|2003-01-07|2005-03-22|Anvik Corporation|Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators| JP2007522671A|2004-02-25|2007-08-09|マイクロニックレーザーシステムズアクチボラゲット|光マスクレスリソグラフィにおいてパターンを露光し、マスクをエミュレートする方法| US7791727B2|2004-08-16|2010-09-07|Asml Netherlands B.V.|Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization| US7525642B2|2006-02-23|2009-04-28|Asml Netherlands B.V.|Lithographic apparatus and device manufacturing method| WO2008121158A1|2007-04-02|2008-10-09|Inphase Technologies, Inc.|Non-ft plane angular filters| WO2008131928A1|2007-04-25|2008-11-06|Carl Zeiss Smt Ag|Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus| US7463342B2|2007-05-02|2008-12-09|Angstrom, Inc.|Optical tracking device using micromirror array lenses| DE102007047446A1|2007-10-04|2009-04-09|Carl Zeiss Smt Ag|Optisches Element mit wenigstens einem elektrisch leitenden Bereich und Beleuchtungssystem mit einem solchen Element| DE102008054582A1|2007-12-21|2009-07-09|Carl Zeiss Smt Ag|Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage| CN103293665B|2008-02-15|2016-07-06|卡尔蔡司Smt有限责任公司|微光刻的投射曝光设备使用的分面镜| WO2009133849A1|2008-04-28|2009-11-05|株式会社ニコン|検査装置| WO2010100078A1|2009-03-04|2010-09-10|Asml Netherlands B.V.|Illumination system, lithographic apparatus and method of forming an illumination mode| JP2010278353A|2009-05-29|2010-12-09|Nikon Corp|露光装置| NL2005162A|2009-07-31|2011-02-02|Asml Netherlands Bv|Methods and scatterometers, lithographic systems, and lithographic processing cells.| JP2011064892A|2009-09-16|2011-03-31|Olympus Corp|空間光変調装置、及び、それを備えたレーザ照明装置、レーザ顕微鏡| WO2011083420A2|2010-01-06|2011-07-14|Ecole Polytechnique Federale De Lausanne |Dark field optical coherence microscopy| JP5721042B2|2010-10-20|2015-05-20|株式会社ニコン|顕微鏡システム| NL2007765A|2010-11-12|2012-05-15|Asml Netherlands Bv|Metrology method and inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method.|US9164397B2|2010-08-03|2015-10-20|Kla-Tencor Corporation|Optics symmetrization for metrology| US9228943B2|2011-10-27|2016-01-05|Kla-Tencor Corporation|Dynamically adjustable semiconductor metrology system| WO2013131834A1|2012-03-09|2013-09-12|Carl Zeiss Smt Gmbh|Beleuchtungsoptik für die euv-projektionslithografie sowie optisches system mit einer derartigen beleuchtungsoptik| JP6353831B2|2012-06-26|2018-07-04|ケーエルエー−テンカー コーポレイション|角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去| US20150268418A1|2012-09-27|2015-09-24|Applied Micro Circuits Corporation|Expanded beam interconnector| US9188839B2|2012-10-04|2015-11-17|Cognex Corporation|Component attachment devices and related systems and methods for machine vision systems| NL2011477A|2012-10-10|2014-04-14|Asml Netherlands Bv|Mark position measuring apparatus and method, lithographic apparatus and device manufacturing method.| US20150157199A1|2012-12-06|2015-06-11|Noam Sapiens|Method and apparatus for scatterometric measurement of human tissue| US10054423B2|2012-12-27|2018-08-21|Nova Measuring Instruments Ltd.|Optical method and system for critical dimensions and thickness characterization| US9182219B1|2013-01-21|2015-11-10|Kla-Tencor Corporation|Overlay measurement based on moire effect between structured illumination and overlay target| US9476837B2|2013-04-21|2016-10-25|Nova Measuring Instruments Ltd.|Method and system for improving optical measurements on small targets| KR102333504B1|2013-06-27|2021-12-01|케이엘에이 코포레이션|계측 타겟의 편광 측정 및 대응 타겟 설계| CN106104202B|2014-03-20|2019-08-02|科磊股份有限公司|计量光学量测方法及系统| WO2016015987A1|2014-07-28|2016-02-04|Asml Netherlands B.V.|Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method| US9793178B2|2014-08-28|2017-10-17|University Of Rochester|Focused beam scatterometry apparatus and method| WO2016086056A1|2014-11-25|2016-06-02|Kla-Tencor Corporation|Analyzing and utilizing landscapes| DE102015214302B4|2015-04-28|2021-02-11|Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.|Vorrichtung zur Erzeugung zweidimensionaler Beleuchtungsmuster und Vorrichtung zur optischen Bestimmung von Geschwindigkeitsfeldern in Fluidströmungen| JP6619883B2|2015-12-09|2019-12-11|エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ.|メトロロジ装置における照明方法およびメトロロジ装置| US10670975B2|2015-12-17|2020-06-02|Asml Netherlands B.V.|Adjustment of a metrology apparatus or a measurement thereby based on a characteristic of a target measured| CN106933049B|2015-12-30|2020-06-16|上海微电子装备(集团)股份有限公司|一种用于半导体光刻的曝光系统与曝光方法| US9846128B2|2016-01-19|2017-12-19|Applied Materials Israel Ltd.|Inspection system and a method for evaluating an exit pupil of an inspection system| JP6731490B2|2016-03-07|2020-07-29|エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.|照明システムおよびメトロロジシステム| US10438339B1|2016-09-12|2019-10-08|Apple Inc.|Optical verification system and methods of verifying micro device transfer| CN108279553B|2018-01-30|2019-06-21|中国科学院上海光学精密机械研究所|一种光刻机照明控制测试系统及方法| EP3528047A1|2018-02-14|2019-08-21|ASML Netherlands B.V.|Method and apparatus for measuring a parameter of interest using image plane detection techniques|
法律状态:
优先权:
[返回顶部]
申请号 | 申请日 | 专利标题 US13/170,025|US8681413B2|2011-06-27|2011-06-27|Illumination control| 相关专利
Sulfonates, polymers, resist compositions and patterning process
Washing machine
Washing machine
Device for fixture finishing and tension adjusting of membrane
Structure for Equipping Band in a Plane Cathode Ray Tube
Process for preparation of 7 alpha-carboxyl 9, 11-epoxy steroids and intermediates useful therein an
国家/地区
|